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型号 VN10LPSTZ
厂商 Diodes Inc
描述 MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3
VN10LPSTZ PDF
代理商 VN10LPSTZ
标准包装 2,000
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 270mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 5 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds 60pF @ 25V
功率 - 最大 625mW
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商设备封装 TO-92-3
包装 带盒（TB）
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